Kısa bir süre önce Intel'in NAND kategorisini satın alan Güney Koreli şirket SK Hynix, 1anm işlem sürecine sahip DRAM yongalarını duyurdu. Bu mimari, ince ayarlar yapılmış 10 nm'lik fabrikasyon sürecine dayanırken, önceki nesle göre yüzde daha yüksek kapasiteye erişebiliyor ve daha yoğun 24 Gb'lık modüllere müsaade ediyor.
SK Hynix'in geliştirdiği bu yeni teknoloji, yakında 48 Gb ve 96 Gb RAM kitlerinin üretilmesine önayak olacak. Ancak bu RAM modülleri yalnızca veri merkezlerine yönelik olarak hazırlanacak ve son kullanıcılara açılmayacak.
Öyle olsa bile, sürmekte olan çip krizi sebebiyle de son kullanıcıya dayalı olarak üretilmesi pek olası değil. Bu kitler, Microsoft, Amazon, Google ve benzeri teknoloji devlerinin veri merkezleri için çözüm olarak sunulacak.
Duyuruda kıyaslamalar yer almıyor. Ancak 2018'de duyurulan önceki nesle göre yüzde 33'lük bir performans artışı sağlayacağı iddia edilirken, yeni modüllerin 6900 Mbps'in üzerinde hızlara ulaşacağına kesin gözüyle bakılıyor.