Samsung ve IBM geçtiğimiz temmuz ayında yeni bir flaş bellek türü üzerinde çalıştıklarını duyurmuşlardı. NAND bellek yongasından 100 bin kat daha hızlı ve asla yıpranmayan bir RAM üretmek için çalışmaya başladıklarını açıklayan ikili, görünüşe göre çok yakında meyvesini verecek.
Manyetik dirençli RAM, kısaltılmış adıyla ise MRAM olarak karşımıza çıkan bu bellek türü, önümüzdeki dönemlerde şirketlerin veri saklamak için kullandıkları NAND flaş belleklerin yerini alacak. Ayrıca mobil cihazlar, giyilebilir cihazlar ve Nesnelerin İnterneti servisleri için kullanılabilecek olan MRAM'ler, gelecek ay Samsung tarafından resmi olarak açıklanabilir.
Samsung'un 24 Mayıs'ta düzenleyeceği Foundry Forum etkinliğinde MRAM'i tanıtacağı gelen yeni raporlarda yer alıyor. Ayrıca şirketin yine MRAM'lerle beraber, bu bellek türünü işlem sürecini de anlatması bekleniyor.