Samsung, 2021'in ikinci yarısında 7'inci nesil 176 katmanlı V-NAND belleğine dayalı yeni bir katı hal sürücüsü (SSD) tanıtacağını açıkladı. Samsung Flash Bellek Ürün ve Teknolojisi Başkanı Song Jai-hyuk tarafından yapılan açıklamada, yeni SSD ile yalnızca mevcut PCIe 4 arayüzünün değil, aynı zamanda bir sonraki PCIe 5.0 arayüzünün performans gereksinimlerinin de karşılanacağı bilgisinin yer alması, oldukça dikkat çekici. Saniyede 2.0 gigabit veri transferi sağlanabileceği söylenen Samsung'un gelecek SSD'si, özellikle veri merkezlerinin ilgi odağı olacak gibi.
Samsung'un yeni SSD'si, veri merkezleri için önemli bir performans kazanımı sağlayacakken, öte yandan eşzamanlı 3D modelleme ve video düzenleme gibi çok görevli büyük iş yükleri için de optimize edilecek. Böylece iş istasyonları için de tercih edilebilecek.
Jai-hyuk, yaptığı açıklamada ayrıca Samsung'un SSD hücre hacmini yüzde 35'e varan ölçüde azaltmayı başardığını ve böylece 176 katmanlı 7'inci nesil V-NAND'ın önceki nesil ile benzer boyutlarda olduğunu söylüyor. Güç gereksinimlerinde de gelişme yaşanmış. 176 katmanlı V-NAND SSD, önceki nesil SSD'lere kıyasla yüzde 16 daha verimli çalışabiliyor.
200 Katmanlı V-NAND
Samsung, şu an bu yeni SSD'sini test ediyor. Yakın zamanda seri üretimine başlanacak. Son olarak, Samsung'un şimdiden 200'den fazla katmanlı yeni nesil V-NAND SSD'sini geliştirmeye başladığı bilgisini de verelim.