Güney Koreli elektronik devi Samsung, yapay zeka ve bulut cihazlarının yanı sıra büyük ölçekli kurumsal sunucular için yeni 290 katmanlı dokuzuncu nesil dikey (V9) NAND yongalarının seri üretimine başlamayı planladığını duyurdu. Söz konusu yongaların en büyük farkı, üçlü yığın yöntemi yerine Samsung'un çift yığın teknolojisini kullanıyor olması.
NAND tabanlı depolama aygıtları konusunda Samsung 2002'den bu yana liderliği elinde tutsa da rakipleri oldukça güç kazanmış durumda ve rekabet gittikçe artıyor. Dünyanın en büyük ikinci bellek yonga üreticisi ve Samsung'un ezeli rakibi SK Hynix, 321 katmanlı NAND teknolojisini önümüzdeki yılın başlarında piyasaya sürmeyi planlarken, Çinli flash bellek uzmanı Yangtze Memory Technologies bu yılın sonlarında 300 katmanlı yongaları piyasaya sürmeyi planladığını açıkladı.
Savaşın kızışmasıyla birlikte Samsung şimdiden yaklaşan V9 lansmanının daha ileri safhalarına bakıyor. Zira sektördeki uzmanlar önümüzdeki yıl 430 katmanlı 10. nesil (V10) NAND yongasının tanıtılmasının planlandığını belirtiyor. V9'un aksine bu yonga Samsung'un üçlü yığın teknolojisini kullanacak.
NAND üstünlüğü için yapılan bu hamle, yapay zeka çağının yüksek performanslı ve büyük kapasiteli depolama cihazlarına olan talebi artırmasıyla beraber geliyor. Yüksek yoğunluklu NAND yongaları bu talebe yanıt verirken aynı zamanda 5G akıllı telefonların yeteneklerini de geliştiriyor.
Korea Economic Daily, büyük yonga üreticilerinin şu anda maliyetleri düşürmek ve performansı artırmak için gelişmiş yonga yığınlama teknolojisi geliştirme yarışında büyük bir rekabete girdiklerini belirtiyor. Ayrıca belirtilene göre, Samsung 2030 yılına kadar 1.000'den fazla katmanlı NAND çipi geliştirmeyi planlıyor.