Teknoloji devi IBM, aşırı ultraviyole litografi (EUV) tekniği kullanarak dünyanın ilk 7nm yongasını üretmeyi başardı. Ancak ürünün ticari kullanımı için en az 2 yıl süre geçmesi gerekiyor.
IBM'in yeni yongayı GlobalFoundries, Samsung, SUNY (New York Eyalet Üniversitesi) ve çeşitli ekipman sağlayıcıları ile birlikte inşa ettiği bildirildi. Üretilen 7nm yonganın performans, güç ve boyut avantajları ile birlikte büyük yeniliklere ortam hazırlaması bekleniyor.
Transistör kanalında silikon yerine silikon-germanyum (SiGe) alaşımının kullanıldığı yeni yonganın, mevcut 10nm süreci ile kıyaslandığında, yüzde 50'ye yakın bir performans ve güç artışı sağlayabileceği belirtiliyor.