IBM araştırmacıları ultra yüksek hızlı transistörlerin gelişiminde mihenk taşı sayılabilecek büyük bir buluşa imza attılar.
100GHz'lik transistör graphene sayesinde mümkün oldu. 240 nanometrelik bir geçit boyutuna sahip olan bu transistör sadece bir başlangıç. Esas bundan sonra bu geçit boyu küçültülerek, daha da hızlı transistörler üretilecek.
Alan etki transistorü isimli bu ürünü mümkün kılan graphene, 1 atom kalınlığında bir karbon tabakasından oluşuyor. Altıgen, bal peteğine benzer bir yapıda dizilen karbon atomlarını silikon bir alt tabakanın üzerinde oluşturdular.
Bu düzenli yapı sayesinde pek çok buluş mümkün olacak. Graphene'in yetenekleri uzun zamandır bilinmesine karşın, transistör olarak kullanılamamalarının sebebi, bant boşlukları denilen, elektronsuz alanların oluşturulamamasıydı. Bu alanlar, açık ve kapalı devre prensibi için gerekliydi.
Öncekiler ne kadar hızlıydı?
Bu yalıtım ise özel bir polimer tabaka ile halledildi, graphene tabaka, metal geçit tabakadan bununla ayrıldı.
IBM araştırmasına göre graphene'in en büyük avantajı elektronların çok yüksek hızda hareket etmesine imkan tanıması. Bu sayede çok hızlı gelecek nesil transistörler oluşturulabilecek. Entegre devreler bu buluş ile çağ atlayacak.
İlk prototip haliyle bile kendisinden önceki metal-oksit yarıiletken FET'lerden yüzde 250 daha hızlı. Mevcut en hızlı transistörler sadece 40GHz sunuyordu. Ayrıca IBM'in graphene transistorü bu hızı oda sıcaklığında kaydetti.
Yani bu yeni teknoloji küçültüldüğünde ve soğutmayla desteklendiğinde transistör ve bilgisayar tarihinde yeni bir sayfa açılacak.