İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
AOC U27B3CF inceleme
Aqara Camera Hub G2H inceleme
PlayStation VR 2 inceleme
vivo V40 & v40 lite inceleme
Huawei WiFi 7 BE3 inceleme
iPhone 16 Pro inceleme
Nillkin Desktop Stand, Nillkin MagRoad Lite, Nillkin Bolster Portable Stand inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Google Haritalar'da fark edilen "yara izinin" sırrı çözüldü
Samsung, yeni reklamında bir kez daha Apple ile dalga geçti
Uluslararası Uzay İstasyonu'nda gizemli koku: Sırrı çözülemedi
Google Play Store, "düşük kaliteli" uygulamalara acımayacak
Ay neden hep aynı görünmez? Ay'ın neden evreleri vardır?
Dikkat çeken görüntü: Otomobil devi fiyat savaşına mı hazırlanıyor?
AJet yurt dışına indirimli bilet kampanyasını duyurdu
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2016
Eylül
CHIP Dergisi Arşivi: Eylül 2016 - Sayfa 102
100
101
102
103
104
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP B ilgisayar teknolojisindeki gelişmelerin katlanarak hızlanması uzun zamandır Moore kanununu haklı çıkarıyor; transistor yoğunluğu yaklaşık her 12-24 ayda katlanıyor. Ama şu aralar çok daha önemli durumlar sözkonusu. Bunlardan biri de dilimize "kalıcı bellek" olarak geçen "non-volatile memory", kısaca NVM. İşlem belleği ve depolama belleğini bir araya getiren bu tip birimlerde bilgisayar kapansa bile veri kaybı olmuyor. Halihazırda bir PC'nin bunu sağlamak için PC'nin iki bileşene ihtiyacı var: RAM ve sabit disk. İşlem belleği olarak RAM gayet hızlı, fakat birkaç saniye arayla tazelenmesi gerekiyor, aksi takdirde veriyi kaybediyor. Sabit disk verileri kalıcı olarak depoluyor fakat RAM ile karşılaştırıldığında çok yavaş. Sabit diskin veriyi işleyebilmesi için işletim sisteminin öncelikle bu veriyi RAM belleğe yüklemesi, ancak işledikten sonra kullanması gerekiyor. PC bu okuma-yazma işlemleri gerçekleşirken çok zaman harcıyor. İdeal olarak NVM belleklerde bu sürenin sıfıra inmesi bekleniyor çünkü RAM ve sabit depolama tek bir ortamda bir araya geliyor. Bunun sonucunda yepyeni PC konseptlerinin ortaya çıkması gerekecek zira yeni belleklerin hem RAM kadar hızlı olması, hem de güç kaynağı kapandığında bile veriyi koruyabilmesi sözkonusu. Günümüzde SSD disklerde bulunan Flash bellek hücreleri geleneksel HDD disklere oranla çok daha yüksek olmasına rağmen bunlar hala RAM yerine kullanılabilecek kadar hızlı değiller. NVM konsepti daha uygun bir bellek tipi gerektiriyor. Üniversiteler, bilim insanları ve sektörden firmalar 30 yıldan uzun bir süredir bunun üzerinde çalışıyor. Sonunda 3 ciddi aday ortaya çıktı: Faz (hal) değişimli bellek (PCM), STT-RAM ve ReRAM (sağda). ReRAM ve PCM belleklerde prensip maddenin direncini değiştirmekten, STT-RAM belleklerde ise elektronların dönüşünü kullanmaktan geçiyor. 3D Xpoint belleklerde PCM teknolojisi kullanılıyor; bu yüzden –her ne kadar Intel bu süreçte terimi alenen telaffuz etmemiş olsa da- yarışı PCM kazandı diyebiliriz çünkü Intel'in 3D XPoint ile ilgili açıklamaları bu yönde gittiğini işaret ediyor. Amorf yapıdan kristal yapıya "PCM" terimindeki faz (hal) değişimi için, hem amorf (şekilsiz), hem de kristalleşmiş halde bulunabilen bir maddeye ihtiyaç var. PCM ile ilgili çoğu geliştirme projesi, çalkogenit adlı bir kimyasal bileşik sınıfı üzerinde yoğunlaşıyor. Bu bileşikler periyodik tabloda Oksijen ailesinden bir veya birkaç element içeriyor. Araştırmalar sonucunda en ümit verici çözümlerin Germanyum, Selenyum ve Telluryum alaşımları olduğu ortaya çıktı. Amorf (ya da dağınık) halde iken bu alaşımlar elektrik iletmiyor; ancak kristal faza geçtiklerinde iletkenlik kazanıyorlar. Amorftan kristale geçiş için maddeyi zayıf fakat uzun süreli bir enerji ile ısıtmak gerekiyor. Amorf hale geri döndürmek için ise güçlü fakat kısa süreli bir enerji uygulanıyor. Bu enerji atımları maddeyi eritiyor ve yeniden amorf hale gelinceye kadar soğutuyor. Tahmin edeceğiniz gibi amorf ve kristal fazlar sırasıyla 0 ve 1 değerlerini ifade ediyor. 3D XPoint belleklerdeki PCM hücrelere yakından bakacak olursak 2 parçadan oluştuklarını görürüz. Bunların her biri 2 elektrot ile örtülü (sağda): Asıl bellek birimi alt kısımda yer alıyor ve kristal ya da amorf fazda bulunuyor. Üzerinde bulunan anahtarlama sayesinde (ovonik eşik anahtarı) bellek öğesine okuma-yazma erişimini açıyor veya kapatıyor. Bu anahtar, komşu PCM hücrelerinden gelebilecek kaçak akımdan etkilenmemeli; aksi takdirde bir bellek elemanı yanlışlıkla devreye girebilir ve/veya bit seviyesinde hatalara neden olabilir. Bu anahtar ile gerçekleşen izolasyon sayesinde PCM hücreleri birbirinden etkilenmeden dip dibe dizilebiliyorlar. 100 milyon yazma işlemi RAM bellekte olduğu gibi, burada da her hücre bit ve sözcük alanları ile kontrol ediliyor. Flash belleklerde bu mevcut değil: SSD denetleyicisi bir bit üzerinde değişiklik yapmak istediğinde en az 4KB'lık bir yığınının üzerine yazmak zorunda. 3D XPoint için kullanılan PCM hücreler 20 nm boyutunda üretiliyor. Dolayısıyla bunlara karşılık gelen veri taşıyıcılar da SSD'lere benzer bir depolama yoğunluğuna sahip. Bu yoğunluk da RAM modüllerine göre en az 10 kat daha yüksek. Ayrıca 3D XPoint belleklerde PCM öğeleri üst üste 2 katman halinde bulunuyor. Baştaki "3D" de buradan geliyor. Flash belleklerde olduğu gibi 32 veya 48 katmanın mümkün olup olmadığını zaman gösterecek. Diğer bir avantaj ise dayanıklı olmaları: Piyasada satılan SSD disklerde bulunan Flash hücreler en fazla 5000-1000 yazma işlemine izin veriyor. PCM ise 100 milyon kez faz değiştirebiliyor. Intel ve Micron, geçtiğimiz yıl 3D Xpoint belleklerin seri üretimine geçeceklerini duyurmuşlardı. Üretim, iki firmanın ortak girişimi olan IMFT (Intel Micron Flash Technologies) şirketi tarafından yapılacak. Açıklığa kavuşmayan tek şey ise üretim tarihi. Intel XPoint SSD'leri bu yıl çıkarmak isterken IMFT'nin başkanı 2017'nin ilk aylarını işaret ediyor. Intel, Nisan ayında tanıtım yaptığı bir prototiple 2 GB/sn gibi bir transfer hızına ulaştı. Veri hızının daha yüksek olmamasının tek sebebi ise arayüzün yavaşlığı idi. 3D XPoint belleklerin 2017 yılında RAM modülleri formatında üretilmesi bekleniyor. Bunların ne kadar hızlı olduğunu, evrensel bir bellek türü olarak kullanıp kullanamayacağımızı da ancak o zaman görebileceğiz. yorum@chip.com.tr S Evrensel turbo bellek Intel, gözünü geleceğin bilgisayarına dikti. Yeni 3D Xpoint bellekler hem RAM kadar hızlı, hem de veri depolamada SSD'den daha güvenilir. İlk ürünler bu yıl içinde çıkacak. TAN BODUR / MM 6 Terabayt RAM modülleri 3D XPoint ile mümkün, zira depolama yoğunluğu yeni SSD'lerle boy ölçüşebiliyor. 102 > 09 > 2016 > CHIP T ST T N ? > B
