İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Aqara Camera Hub G2H inceleme
PlayStation VR 2 inceleme
vivo V40 & v40 lite inceleme
Huawei WiFi 7 BE3 inceleme
iPhone 16 Pro inceleme
Nillkin Desktop Stand, Nillkin MagRoad Lite, Nillkin Bolster Portable Stand inceleme
Mcdodo MC-1360 10.000 mAh LED Göstergeli Powerbank inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
13 yaşındaki TikTokçu, kendi ürettiği meme coin'leri satıp kaçtı
Casio'nun yeni sürprizi: Yüzük görünümlü saat!
Onay gelmedi: Netflix'in sevilen yapımına ikinci sezon şoku
Yeni DS 4 Pallas satışa çıktı: Türkiye fiyatı ve özellikleri
vivo X200 Pro performansı nasıl? Teknik özellikleri neler?
Huawei’den dünya çapında ‘Akıllı Ağ’ anlaşması
Yeni sızıntı, RTX 5070 Ti'nin ne kadar güç çekeceğini ortaya koydu
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2014
Eylül
CHIP Dergisi Arşivi: Eylül 2014 - Sayfa 30
28
29
30
31
32
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
3009/2014 TREND Geleceğin SSD'leri3D FLASh Manyetik diskten daha büyük Eğer flash hücreleri yan yana değil de üst üste konursa daha fazla depolama yoğunluğu elde edilebiliyor. Fakat hücre yapısının ve bellek bloğuna bağlantının 3B flash'a uygun hale getirilmesi gerekiyor. çüldükçe aralarındaki mesafe de kısalıyor. Yüzer kapılar arası mesafe 20 nm'nin altına inerse bellek yongalarının yükleri arasındaki etkileşimi önlemek için IPD'nin yine kalınlaştırılması gerekiyor. Üreticiler üretimle ilgili tüm sorunları çözse bile, IPD'nin ya da yüzer kapıların küçültülmesi olanaksız. O yüzden de 21 nm'den 12 nm'ye inişte artan veri yoğunluğu çok değil. Üreticiler mevcut flash hücrelerini daha şimdiden 16-19 nm arasına küçülttüler bile. Bunun için normalde silikon olan kontrol kapısının yerine metal, silikon oksit olan IPD'yi ise iletkenliği daha iyi olan bir yüksek K materyaliyle (örneğin hafniyum oksit) değiştirdiler. Böylece yüzer kapının üç yandan çevrilmesine ihtiyaç duymayan daha etkili kontrol kapıları yapılabiliyor. Onun yerine, hücrelerin kontrol kapıları arasındaki mesafe, girişimi en aza indirgemek için hava baloncuklarıyla dolduruluyor. Fakat IPD sorunu söz konusu olduğunda bu da bir çözüm değil, sadece küçültme sürecini geciktirme çabası. 3B hücreler sınırları aşabiliyor 2B Nand'ın sınırlarını farklı bir biçimde aşmak mümkün. Flash hücreleri yan yana değil de 3B Nand tüpleri halinde üst üste dizilebilir. Üst üste katman sayısı arttıkça depolama yoğunluğu da artıyor. Samsung kendi 3B konseptini geçen yıl tanıttı. İlk nesilde V-Nand 24 katman halinde flash hücresi barındırıyor ve böylece 80 nm çaplı olduğu halde (çünkü hücreler çok yer kaplıyor) günümüzün en iyi 2B flash'ıyla aynı depolama yoğunluğunu sunuyor. Bu katman modelinin birçok avantajı var. V-Nand'ı düşük voltajla çalıştırmak mümkün ve MLC'nin üç katı, yani 35.000 yazma / silme döngüsüne dayanabiliyor. Samsung, yazma hızının da ikiye katlandığını söylüyor. Üreticinin planları iddialı. V-Nand yongalarının boyutu 2018'e kadar 128 GBit'ten 1 TBit'e çıkacak. Bu da ancak katmanların artmasıyla olanaklı. 1 TB için 192 katman gerekiyor. Bu veri yoğunluğu sayesinde 4-8 TB kapasiteli SSD'ler sıradan kullanıcıların satın alabileceği fiyata inecek. Sektör uzmanları 40 katman eşiği aşıldıktan sonra 3B flash üretmenin 2B flash'tan daha ucuz olacağını söylüyor. Teknik bakımdan Toshiba'nın BICS (Bit-Cost Scalable Flash) adlı ürününün V-Nand'dan pek bir farkı yok. BICS, elektriksel yükü silikon nitritten yapılmış ve iki adet oksit katmanıyla çevrelenmiş bir depolama katmanında saklıyor (sağa bakınız). Hücrenin kenarında, depolama katmanındaki yükü kaldırabilen ve gerektiğinde yazabilen kontrol kapısı bulunuyor. V-Nand da aynı biçimde çalışıyor fakat hücre katmanlarında kullanılan malzemeler farklı. Depolama katmanının etrafında silikon bazlı bir oksit yerine yüksek K'lı alüminyumdan yapılmış bir malzeme var. Onun üstünde ise tantal nitrürden yapılmış kontrol kapısı bulunuyor ve Samsung'a göre bu sayede hücreler hızla silinebiliyor. Yeni materyaller yük düzeyleri arasındaki mesafenin açılmasını ve dolayısıyla hücre ömrünü de artırıyor. Toshiba şu anda eski yonga üretim tesislerinden birini BiCS üretimi için yeniden yapılandırıyor. İlk numuneler önümüzdeki yılın Mart ayında hazır olacak. Mevcut BiCS prototipleri sadece 16 katman için tasarlansa da V-Nand'la rekabet etmesi için ilk nesil yongaların piyasaya çıktığında 30'dan fazla katmana sahip olması bekleniyor. IHS piyasa uzmanları 3B Nand'ın önümüzdeki yıla kadar yaygınlaşacağını ve 2016'da büyük bir pazar payına sahip olacağını söylüyor. O günden sonra veri yoğunluğu manyetik depolama ürünlerininkiyle rekabet edebilecek. Fiyat da uygun olursa, manyetik diskler yakında tarihe karışacak. balkim@chip.com.tr 201324 KAtMAN960 GByte 2014 32 KAtMAN1.280 GByte 2015 48 KAtMAN1.920 GByte 2016 72 KAtMAN2.880 GByte 2017 128 KAtMAN5.120 GByte 2018 192 KAtMAN7.680 GByte 3B depolama bloğunda hücre açma BiCS hücreleri kaynak hattından voltaj alıyor ve bit hattından okunuyor. Her katmanın kontrol kapıları (CG) bağlantılı olduğundan tüp uçlarındaki seçim kapıları yazma ya da silme sırasında sadece dikey bir katmandaki kontrol kapılarını açıp kapıyor. 2013'te Samsung 3B flash teknolojili bir TB disk tanıttı. İlk nesilde hücreler 24 katman halinde. Bu rakam 2018'e kadar 192'ye çıkacak. Dolayısıyla V-nand SSD'lerin depolama kapasitesi hızla artacak. 3B Flash hücresi nasıl çalışıyor? Sadece Samsung değil Toshiba da 3B hücre üretiyor. Bit Cost Scalable Flash (BiCS) elektrik yükünü bir yük tuzağında, iki oksit katmanı arasında tutuyor. kontrol kapısı ise hücreyi yazma işlemi için açıyor. Samsung'un SSD için TB planı FoToĞrAFlAr: SAMSuNG (l. o.); SANDISk (l. o.); INTEl (l. u.); SAMSuNG (r.) Kanal (hat tünel oksit (yalıtım) yük tuzağı (depolama katmanı) engel oksit (yalıtım) Kontrol kapısı (yazma / silme) Kaynak hattı Üst seçim kapısı Alt seçim kapısı Kontrol kapıları Bit hattı
