İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Huawei FreeBuds Pro 4 inceleme
WD MyPassport 6TB inceleme
TP-Link Archer BE230 inceleme
Dreame L10 Prime inceleme
SteelSeries Arctis GameBuds inceleme
Xiaomi Mix Flip inceleme
OPPO A3 inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Chromium tabanlı tarayıcılar için büyük ortaklık
Otoyol ve köprü geçiş ücretlerine zam geldi: İşte yeni fiyatlar
Netflix'ten "daha fazla yapay zeka" için yeni patent
Squid Game'in geçemediği tek Netflix dizisi: Kendisi!
İnsan vücudunun karanlıkta parladığını biliyor muydunuz?
PS5 kullanıcılarının tercihi hangisi: Kapatmak mı, Dinlenme Moduna almak mı?
TCL, CES 2025'te hangi ürünlerini tanıttı ve 2025 yılında bizleri neler bekliyor?
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2014
Ağustos
CHIP Dergisi Arşivi: Ağustos 2014 - Sayfa 61
59
60
61
62
63
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2025 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
6108/2014 ELEKTROniK BELLEKLER Kapalı hücreler elektronik bellekler veriyi 1.000 yıldan uzun süre saklayabiliyor. O yüzden de arşiv depolaması dendi mi akla ilk onlar geliyor. Ne var ki süreç henüz tamam değil. Yeni portların ve depolama türlerinin duyurulması gerekiyor. Verileri otomatikman silen Flash hücreleri flash hücreleri elektriksel yükü yüzer kapıda saklar. Silmek içinse kontrol kapısına voltaj uygulanır 1 . Arada bir elektronlar yalıtım katmanında takılıp kalabilir 2 . eğer yalıtım katmanında çok sayıda katman kalırsa silme işlemi başarısız oluyor ve hücre bozuluyor. Flash bellek yeni portlara kavuşuyor uyumlu portlar olmadıktan sonra arşivleme medyası hiçbir işe yaramaz. O yüzden de flash'a yeni dosya biçimleri eşlik ediyor. Örneğin Samsung XP941'deki M.2 1 ve XS1715 için NVM express 2 . Bu yeni biçimler şu anki SATA'nın yerini alacak. Flash'tan da iyisi Dirençli RAM (RRAM) ya da faz değişimli bellek gibi bir memristör teknolojisi ya da faz değişimli bellek, flash'ın yerini birkaç yıl içinde alacak. RRAM daha hızlı, daha sağlam ve arşiv depolaması için daha uygun. TürFlash hücresi Faz değişimli bellek Memristör (RRAM) Yapı büyüklüğü 19 nm45 nm19 nm Hücrelerin yazma hızı100.000 ns10 ns10 ns Silme voltajı12-20 Volt2-3 Volt1,- 5 2 volt Maksimum silme – yazma döngüsü sayısı1.000-100.00010 milyon100 milyon 1 1 2 Kaynak Yalıtım katmanı Silme Yüzer kapıKontrol kapısı Çıktı ----20 V Uzun ömürlü Flash bellek Elektrik yüküyle depolama, uzun dönem arşivlemenin birçok sorununa çözüm buluyor. Flash belleklere zarar verebilen tek şey ısı. Facebook'un talebinin doğrudan SSD üreticilerini hedeflemesi de bu yüzden. Flash hücreleri elektrik yükünü bir yüzer kapıda depoluyor (sağa bakınız). Bu yükün okunması için düşük voltaj yeterliyken, silinmesi için yüksek voltaja ihtiyaç duyuluyor. Her silme operasyonu yüzer kapıyı çevreleyen yalıtım katmanını biraz yıpratıyor. Belli bir yazma operasyonundan sonra hücre eskiyor. Bunun gerçekleşme hızı, depoladığı farklı yük düzeylerinin sayısına göre değişiyor. Yük düzeyi sayısı bir hücrenin temsil edebileceği bit sayısını da belirliyor. Eskiden sadece tek düzeyli hücreler (SLC, single-level cell) kullanılıyordu. Bu hücreler tek bir bit saklayabiliyor. Günümüzdeyse trend üç bit saklayabilen ve bu yüzden sekiz yük düzeyine sahip olan üç düzeyli hücrelerden (TLC) yana. Bu, depolama yoğunluğunu artırıyor ancak kullanım ömrü kısalıyor. TLC Flash hücreleri 1.000 civarı yazma işlemine dayanabilirken SLC Flash'ta bu rakam 100.000. Bu trendin önüne geçilebilirse Flash bellekler de WORM ilkesine uyabilir. Testler SLC'lerin bir kez yazıldıktan sonra, oda sıcaklığında değerlerini 1.300 yıl koruyabildiğini gösteriyor. Oda sıcaklığındaki küçük dalgalanmaların yüzer kapıdan elektron koparması için bu kadar süre geçmesi gerekiyor. Bununla beraber TLC o kadar uzun süre dayanamıyor çünkü yükteki küçük değişiklikler bit işaretlerini bozmaya yetiyor. 1.000 yıldan uzun dayanıyore Ne yazık ki Flash için WORM ortamı talebi çok az. Sadece devlet yetkilileri kanıt saklamak için kullanıyor. SanDisk Memory Vault bunun bir istisnası ama üstündeki USB 2.0 portu da bir başka sorunu beraberinde getiriyor. Portlar da zamanla kullanım dışı kalabilir ve Flash bellekler bu değişimi hızlandırıyor. Günümüzde sadece SATA SSD'ye arşivleme yapan bir kullanıcı bundan 10 ya da 20 yıl sonra bu aygıtı takacak bir yer bulamayabilir. SSD'ler için çok yavaş kalan SATA, artık yerini PCI Express kullanan portlara, örneğin NVM Express ve M.2'ye bırakıyor (sağa bakınız). Hatta Windows 8.1'de bir NVM Express sürücüsü var. Yeni USB 3.1'in de konektörü farklı. Bununla birlikte elektronik depolama söz konusu olduğunda Flash, optimum düzeye erişemiyor. Takipçisi olan teknolojiler elektriksel yükü daha güvenli biçimde saklayabiliyor ve çok daha fazla silme döngüsünü kaldırabiliyor (sağa bakınız). Sonuçta bir PCM (faz değişimli bellek) veri taşıyıcısı ya da memristör, uzun soluklu veri depolama için daha ideal ortamlar. PCM'in uzun süredir en ideal taşıyıcı olduğu düşünülüyordu. Malzeme, geçici ısıtmayı da kapsayan bir süreçle yük saklayabiliyor fakat PCM hücrelerini minyatürleştirmek çok zor. Dirençli RAM memristor teknolojisi şu an bu problemi yaşamıyor. Amerikalı Crossbar teknoloji şirketi en son Flash yongaların depolama yoğunluğuna erişen bir RRAM bellek geliştirdi. Flash'a kıyasla RRAM hücresinin yapısı çok daha yalın. İki elektrot arasında bir amorf silikon katmanı bulunuyor. Voltaj uygulanınca silikonda sürekli iletken olarak kalan kanallar açılıyor. 85 derecede yapılan stres testleri, dolu RRAM hücrelerinin Flash hücrelerinden çok daha uzun ömürlü olduğunu ortaya koydu. Böylesi bir veri taşıyıcı birkaç yıl uzakta olsa bile, arşiv depolamanın geleceğini garantiye alacak. s NM: NANOMeTRe NS: NANOSANiYe 20 V ---- 2
