İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Aqara Camera Hub G2H inceleme
PlayStation VR 2 inceleme
vivo V40 & v40 lite inceleme
Huawei WiFi 7 BE3 inceleme
iPhone 16 Pro inceleme
Nillkin Desktop Stand, Nillkin MagRoad Lite, Nillkin Bolster Portable Stand inceleme
Mcdodo MC-1360 10.000 mAh LED Göstergeli Powerbank inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Android 15 ile bekleniyordu, Android 16'da ortaya çıktı
Bakan Uraloğlu'na 'Google keşfet' sorusu: Haksızlık tespit edersek...
"Yeniden başlatmasız" güncellemeler nihayet Windows 11'e geliyor
vivo X200 Pro ekran özellikleri neler?
HUAWEI XMAGE Fotoğraf Sergisi Attila Durak küratörlüğünde İstanbul’a geliyor
iPhone 13'ten 15'e kadar, en çok hangi modeller tercih edildi?
Ağlamak, vücudumuz için gerçekten iyi midir?
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2014
Haziran
CHIP Dergisi Arşivi: Haziran 2014 - Sayfa 26
24
25
26
27
28
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
Üçüncü boyutta Neredeyse tüm büyük üreticiler depolama ve işlem birimlerinin gecikmesiz etkileşim kurabileceği 3B yongaları üretmeyi planlıyor. Örneğin CPU katmanının üstünde RAM, onun üstünde de Flash bellek katmanı olacak. Dünyanın en büyük fason yonga üreticisi TSMC gelecek nesil 16 nm yongalarında bu 3B entegrasyonu sunacak. Bu yongalar 2016'da iPhone 7'de kullanılabilir zira Apple bu tarihte TSMC'nin müşterisi olacak. Üretici 3B'yi TSV (Through-Silicon Via) denilen bir yöntemle hayata geçirecek. Burada wafer'a 10 mikrometre aralıklı delikler açılıyor ve bir elektriksel iletkenle dolduruluyor. Bu iletken birbiri üstüne duran wafer'ları birleştirerek bir 3B yonga meydana getiriyor. Monolitik 3B açısından TSV geçici bir çözümden ibaret. Tüm bilgisayar silikon katmanlarının 100 nm kalınlıkta tellerle transistora bağlandığı tek bir materyal blokundan oluşuyor. Sadece en alttaki katman geleneksel bir wafer üzerinde hazırlanıyor. Ek katmanlar birbiri üstüne yerleştiriliyor ve bu da her katman için transistor ve telleri oluşturuyor. Bu ancak 400 derecenin altındaki sıcaklıklarda geçerli. Katmanlar birbirlerine yakın, teller ise daha küçük olduğundan veri daha hızlı aktarılıyor ve TSV'den daha etkili bir yöntem sunuyor. SSD ve manyetik plakalar için 3B yöntemler Günümüzdeki SSD'lerde kullanılan türden Flash hücreleri mantıksal transistorlara benziyor ama adına yüzer kapı denen ek bir bileşene daha sahipler. Yüzer kapı kanal ile kapı arasında bulunuyor ve elektron deposu görevi üstleniyor. En son flash hücrelerin genişliği 20 nm'den küçük ve bu yüzden CPU transistorlarındaki aynı küçültme kaynaklı sorunları yaşıyorlar. Flash hücreleri arasındaki mesafe sadece 10 nm'ye indiğinde SSD denetçisi artık değerleri doğru okuyamıyor. Bu yüzden de Samsung, Toshiba / SanDisk ve Hynix gibi üreticiler şu anda küçültme değil de mimari değişikliğine odaklanıyorlar. Flash hücrelerini bellek bankalarının hücrelerden oluşan tüpler içereceği biçimde üst üste diziyorlar. Böylece flash hücresinin yapısı basitleşiyor. Örneğin Samsung'un V-Nand belleğinde (sağa bakınız) kullanılan bu teknik hücrelerin 3.000 değil de 35.000 yazma / silme döngüsüne dayanmasını sağlıyor. 2017 yılına kadar Samsung V-Nand SSD'nin bit yoğunluğunu neredeyse on katına çıkartmayı planlıyor. Mevcut 128 GBit'lik yongalar o zaman 1 TBit yongalara dönüşecek. 3B yöntemini bit yoğunluğu sınırına ulaşmış manyetik veri taşıyıcılara da uygulamak olanaklı. Bir biti temsil eden manyetik parçacık sayısını, okuma kafasının sinyal kuvvet kalitesini değiştirmeden azaltmak olanaksız. Yeni metal alaşımları buna çözüm olabilir. Florida Uluslararası Üniversitesi'nden araştırmacılar bir prototip çözüm daha geliştirmiş: Gruplanmış üç adet dikey katmanın manyetize edildiği bir sabit disk. Her katman yalıtımlı ve farklı manyetik özelliklere sahip. Dolayısıyla yazma kafası bu katmanları manyetize etmek için farklı alan güçlerine ihtiyaç duyuyor. Ardından okuma kafası üç katmanın toplam alan gücünü ölçüyor. Bu da sekiz farklı değerden birine karşılık geliyor. balkim@chip.com.tr YüKSEK TASArIMLAr Bellek ve yongalar için 3B Önümüzdeki yıllarda piyasaya 3B yongaların ve 3B sabit disklerin çıkışına tanık olacağız. Hesaplama ve depolama katmanlarının yüksekliği işaret yollarını ve enerji girdisini azaltıyor. İşlem çekirdekleri ve bellek hücreleri Üç boyutlu yongalar bileşenler arasında kısa veri yollarını mümkün kılıyor. 2015'ten itibaren çok sayıda wafer'dan üretilen TsV yongaları çıkacak. Tabakalar arasında çok daha fazla bağlantıya sadece bir wafer'dan üretilen monolitik üç boyutlu yongalar sahip. Dayanıklı TB SSD'ler için 3B Flash samsung, V-NANd ssd'lerinde 24 adet flash hücresini üst üste bindirmiş. Hücrelerin elektrik yükü kapı ile kanal arasındaki silikon nitrür katmanında depolanıyor. Bu daha fazla bellek genişliği anlamına geliyor ve flash hücresinin ömrünü on kat artırıyor. Farklı birkaç metal katmandan yapılmış sabit diskler Manyetik diskler de üç boyutlu depolama sunuyor. Florida uluslararası Üniversitesi'nin yaptığı bir prototip üç adet dikey gruplanmış katmanı değişen oranlarda manyetize edebiliyor. okuma kafası sekiz adet alan gücünü alıyor ve bunlara bit değeri muamelesi yapıyor. Böylece sabit disklerin maksimum depolama alanı sekize katlanıyor. 111110101100011010001000 Kanal 24 2 1 Bellek katmanı (RAM) Hesaplama katmanı (CPU, GPU ve şifreleme ya da sinyal dönüştürme için özel çekirdekler) Sabit disk katmanı (Flash bellek) Elektron depolama Kapı Alt katman Yalıtıcı Manyetik katman 8 olası sonuç TSV'li 3B yonga (Through Silicon Via) Monolitik 3B yonga 01 2606/2014 TREND PC devrimi
