İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Aqara Camera Hub G2H inceleme
PlayStation VR 2 inceleme
vivo V40 & v40 lite inceleme
Huawei WiFi 7 BE3 inceleme
iPhone 16 Pro inceleme
Nillkin Desktop Stand, Nillkin MagRoad Lite, Nillkin Bolster Portable Stand inceleme
Mcdodo MC-1360 10.000 mAh LED Göstergeli Powerbank inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Android 15 ile bekleniyordu, Android 16'da ortaya çıktı
Bakan Uraloğlu'na 'Google keşfet' sorusu: Haksızlık tespit edersek...
"Yeniden başlatmasız" güncellemeler nihayet Windows 11'e geliyor
vivo X200 Pro ekran özellikleri neler?
HUAWEI XMAGE Fotoğraf Sergisi Attila Durak küratörlüğünde İstanbul’a geliyor
iPhone 13'ten 15'e kadar, en çok hangi modeller tercih edildi?
Ağlamak, vücudumuz için gerçekten iyi midir?
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2014
Haziran
CHIP Dergisi Arşivi: Haziran 2014 - Sayfa 24
22
23
24
25
26
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
Silikon yerine metal FinFET yongaları küçülmeden kaynaklanan birçok sorunu çözüyor. Tasarımları düşük voltajla çalışmaya izin veriyor. Bu da elektrik tasarrufu sağlıyor ve FinFET'ler böylece daha hızlı açılıyor. Fakat işlevsel bileşenlerin çıkıntı yapan ince "kanatçıklar" sayesinde azaltılması (kaynak, akaç ve kanal) yonga üreticilerinin 10 nm düğüm boyutundan itibaren (belki de daha erken) başa çıkmaları gereken bir soruna yol açacak. 2009'dan beri işlevsel bileşenlerde "gerdirilmiş silikon" kullanılıyor. Silikon, sözcüğün tam anlamıyla geriliyor. Silikonun içine germanyum atomları yerleştiriliyor ve bu da atomlar arası uzaklığı artırıyor. Normal bir silikon katmanı da bu silikon-germanyum katmanının (SiGe) üzerine yerleştiriliyor. İki katman birleşerek düzenli bir kristal kafes oluşturuyor. SiGe katmanı sayesinde atomlar arası uzaklık korunuyor (sağa bakınız). Kristal kafesin genişlemesi materyalin iletkenliğini artırıyor. İç içe bağlı transistorlarda elektronlar normal silikonda olduğundan %70 daha hızlı hareket ediyor. Fakat daha küçük FinFET'lerde kanatçıklar o denli ince ki sadece birkaç atomik katmandan oluşuyor. Silikonu gerdirmek zorlaşıyor ve 10 nm'nin altına inilemiyor. Transistoru daha fazla küçültmenin bir anlamı kalmadığı gibi, silikon da artık yarıiletken olarak kullanılamıyor. Periyodik cetvelde tam silikonun altında duran germanyum, yarıiletken olarak silikonun yerini alabilir ve p katkılı bileşenler için ideal bir malzeme. İndiyum, galyum ve arsenik karışımı (InGaAs) ise n katkılı bileşenler için en iyisi ve silikondan altı kat daha iletken. Leuven'deki Interuniversit Microelectronics Centre, InGaAs kanallı ilk prototipi üretti ve bu, silikon kanallı bir FinFFET'in ancak yarısı kadar enerji tüketiyor. Piyasa analizcileri yeni materyallerin 2017'den itibaren seri üretime geçeceğini düşünüyor. Tek bir atom katmanıyla hesaplama 2020'den sonra 5 nm'lik düğümlerin daha küçük ama çok iletken bileşenlere gereksinimi olacak. 2B nanokatmanlar, yani tek bir atom katmanından oluşan (monolayer, tek katmanlı) malzemeler bu iş için uygun. Karbon atomlarının oluşturduğu bir kafes yapısı olan grafen üzerinde birçok araştırma yürütülüyor. Germanen (germanyum), silisen (silikon) ve stanen de (kalay) araştırılan diğer malzemeler. Silisen ilk defa 2012'de Berlin Teknik Üniversitesi'nde üretildi. Tek katmanlı materyallerin silikonun yerini tümüyle alması değil de, onu tamamlaması bekleniyor. Sorun şu ki, iletkenliklerini kontrol altında tutmak zor. Saf grafenden üretilmiş bir transistor her zaman açık olur ve gereğinden fazla elektrik harcardı. Buna karşılık tek katmanlılar küçülmeyle ilgili bir başka soruna çözüm buluyor: Günümüzün transistorları bakır teller daha elektronik yüklerini taşıyamadan açılıyor. Her küçültme işleminde sorun daha da büyüyor. Ama tek katmanlılar bunu tersine çevirebilir. Japon İleri Endüstriyel Bilim ve Teknoloji Ulusal Enstitüsü'nde araştırmacılar bakır tel yerine başarıyla grafen kullanarak iletkenliği artırdılar. YEnİ MATErYALLEr Fiziğin sınırları Bilgisayar yongalarında yarıiletken olarak silikon kullanıldığı o altın çağ sona erdi. 10 nm'den daha küçük yapılar için silikonun yerine genelde tek atom katmanından oluşan materyaller kullanılıyor. Gerdirilmiş silikon, elektronları hızlandırıyor 2009'dan beri transistor kanallarında gerdirilmiş silikon kullanılıyor. Geniş örgülü kristal yapı elektron hareketliliğini artırarak enerji tasarrufu sağlıyor. Yapıyı genişletmek için daha büyük germanyum atomları kullanılıyor ve üstüne saf silikon katmanlar ekleniyor. FinFET kanalında metal alaşımı interuniversity Mikroelektronik Merkezi mühendisleri silikon kanalın yerine bir indiyum galyum arsenik (inGaAs) alaşımı kullandılar. daha yüksek iletkenliğe sahip bu alaşım 2017'den itibaren 7nm düğümlü FinFET için kullanılacak. soldaki fotoğraf kanalın kesitini gösteriyor. Tek atom katmanından yarıiletken kafes Tek katmanlı materyaller 2019'dan sonra kullanılacak 5 mm'lik düğümler için ideal özelliklere sahip. Elektronlar bu tek katmanlı atom kafeslerinde serbestçe hareket ediyor. Şu anda stanen 1 gibi bazı malzemeler sadece kuramsal. Fakat grafen gibi (karbon) bazıları şu anda kullanımda 2 . 1 Germanyum atomları ekleniyor 3 Silikon atomları ekleniyor 4 Sonuçta ortaya gerdirilmiş silikon kafesi çıkıyor 2 Geniş bir silikon – germanyum kafesi oluşuyor 2 1 Kalay Flüor Silikon Germanyum 50 nm Si InGaAs 2406/2014 TREND PC devrimi
