İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Aqara Camera Hub G2H inceleme
PlayStation VR 2 inceleme
vivo V40 & v40 lite inceleme
Huawei WiFi 7 BE3 inceleme
iPhone 16 Pro inceleme
Nillkin Desktop Stand, Nillkin MagRoad Lite, Nillkin Bolster Portable Stand inceleme
Mcdodo MC-1360 10.000 mAh LED Göstergeli Powerbank inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
vivo X200 Pro ekran özellikleri neler?
HUAWEI XMAGE Fotoğraf Sergisi Attila Durak küratörlüğünde İstanbul’a geliyor
iPhone 13'ten 15'e kadar, en çok hangi modeller tercih edildi?
Ağlamak, vücudumuz için gerçekten iyi midir?
Netflix'in Tyson - Paul yayınına kızdı, soluğu mahkemede aldı
vivo'dan yeni akıllı telefonu V40'a binlerce zorlu test!
Akdeniz bir gün tamamen yok olabilir
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2014
Haziran
CHIP Dergisi Arşivi: Haziran 2014 - Sayfa 23
21
22
23
24
25
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
Nanometre savaşı BT sektöründe ilerleme transistor boyutuyla belirleniyor. Transistor ne kadar küçükse yongalar o kadar iyi. Bununla birlikte yongaları küçültmek giderek güçleşiyor. Şu anda yeni bir mimariye gereksinim var. FinFET Alt katmandan ayrılmış tek bir kanatçık (?n) üzerinde kanal, akaç ve kaynak bir arada. 2015'ten itibaren 20 nm'nin altındaki her transistor bu yapıya sahip olacak. Nanotel Kapı, kanalı tümüyle çevreliyor ve alt katman yok. 2019'dan itibaren 7 nm'lik düğümlerde kullanılacak. Transistorlarda güncelleme En küçük transistoru yapan yonga üreticisinin büyük bir avantajı var: Rakiplerinden daha hızlı CPU, daha ekonomik mobil aygıt ve rakiplerininkinden daha büyük SSD'ler üretebiliyorlar. Transistorlar bilgisayarlardaki gerçek işlem ve saklama birimleri zira bu devrelerin her biri bir biti temsil edebiliyor. Günümüzde yonga üreticileri normalde mikrobiyologları ilgilendirecek ölçeklerde çalışıyor. Söz gelimi nezle virüsünün çapı 80 ila 120 nanometreyken (nm) en son transistorların çapı 60 ila 90 nanometre. Transistorlar içine saflığını bozacak atomlar katılmış yarıiletken silikondan yapılıyor. Bu katkılama (doping) silikonu iletken hale getiriyor. Kaynak ve akaca (diğer adıyla dren) yapılan n tipi katkılamada silikondan daha çok sayıda dış elektronu bulunan atomlar (örneğin fosfor) kullanılıyor (sağa bakınız). Geri kalan alt katmana ise boron gibi elektron alabilen atomlarla p katkısı yapılıyor. Kaynak ile akaç arasındaki kapıya voltaj uygulandığında, akım kaynakla akacın arasındaki kanaldan akıyor; bir diğer deyişle transistor açılıyor. Bu devre, özellikle de kapı boyu küçültülürse transistorlar daha etkili çalışmaya başlıyor fakat bu sefer de sorunlar çıkıyor: P ve n katkılı malzemeler arasındaki katkılamasız geçiş (ya da tükenim) katmanı giderek aşılması kolay hale geliyor. Dolayısıyla da elektronlar kaynak ve drenden hiçbir engel olmaksızın alt katmana (substrat) akabiliyor. Aynı anda, bu katman kanalın büyük kısmını kaplıyor ve elektronlar kaynaktan akaca akmak zorunda kalıyor. Bu kaçak akımlar yonganın güç tüketiminin neredeyse %40'ından sorumlu. Yeni transistor türleri giderek yaygınlaşıyor Tüm büyük yonga üreticileri bu yüzden geleneksel transistorları 20 nm tasarım evresinde (yani düğümünde) sona erdiriyor. Düğüm boyutunun kritik kapı uzunluğunu aşmış olması küçültmenin sorunlarını gösteriyor. Transistorları kâğıt üzerinde büyütmek, gerçek hayatta büyütmekten kolay (sağ üste bakınız). Daha küçük transistor üretmek için mimariyi değiştirmek gerekiyor. Intel, Tri-Gate transistorlarıyla FinFET konseptini uygulayan ilk firma oldu ve tüm diğer üreticiler de 2014/2015'te bu kervana katılacak. FinFET'lerde kanal, kaynak ve akaç; alt katmandan ayrı durumda (sağa bakınız). Kanala saflığı giderecek çok az katkı atomu koyuluyor ve alt katmana hiç katkılama yapılmıyor. Bu da kaçak akımları hatırı sayılır derecede azaltırken düğüm boyunun 10 nm'ye inmesini sağlıyor. Üreticiler FinFET'te başka hilelere başvurabiliyor. Düğüm boyutlarını geleneksel transistorların etkinliğine eşdeğer olarak ölçüyorlar. Böylece, aslında 30 nm kapı boyuna sahip olan Tri-Gate transistorlar güç tüketimi ve performansı bakımından 22 nm'lik transistor gibi davranıyor. Yonga analizcisi Malcolm Penn gelecek yıl çıkacak olan 14 nm'lik düğümlerin etkin kapı boylarının 17 ila 20 nm olacağını tahmin ediyor. 2017/2018 gibi 10 nm'nin altına inmek istiyorlarsa üreticilerin farklı malzemeler kullanması (bir sonraki sayfaya bakın) ve transistor mimarisini bir kez daha değiştirmesi gerekiyor. Nanoteller FinFET konseptini bir hayli ileriye götürüyor. Bunlar sadece işlevsel unsurlar olan kanal, kapı ve akaca sahip. Kanal ise her yandan çevrili (sağa bakınız). Nanoteller üzerine yapılan araştırmalar daha yeni ve araştırmacılar henüz birkaç prototipin ötesinde elle tutulur bir şey yapamadılar. Eski tasarım 20 nm'ye kadar uygun Transistorlar kapıya voltaj uygulandığında açılıyor ve elektronlar kaynaktan akaca akıyor. Geçiş katmanı transistor kapalıyken elektron akmasını önlüyor. Fakat bu katman 20 nm'nin altında aşırı inceldiği için kaçak akım oluşuyor. 16 nm'den küçük ve daha iyi transistorlar FinFET'ler çok fazla kaçak akım yaratmadan 10 nm'ye kadar çalışıyor. Bileşenler alt katmandan bir yalıtım katmanıyla ayrılmış ve kapının kanal üstündeki kontrolü daha iyi. Kapının etkisi nanotellerde daha bile yüksek (10 nm'nin altında). KAYNAK: GloBAlFouNdriEs 200520072009 201120132014 0 40 20 60 80 100 120Nanometre Tasarım evresi (düğüm) Transistor kapı uzunluğu Yarı mesafe Kaynak KapıKanal ve oksit Yalıtım katmanı Akaç Yarı mesafe Kapı uzunluğu Oksit katmanı KanalKaynak KontakKontak Akaç Kaynak Akaç Kapı Kapı Geçiş katmanıGeçiş katmanıAlt katman Kanal ve oksitAlt katman Abartılı nanometre bilgisi Transistorlar her tasarım evresinde (düğüm) küçülüyor. Fakat 2011'den bu yana düğüm boyu gerçek boyutların önüne geçti. Transistorun etkili çalışmasını belirleyen kapı uzunluğu düğüm kadar hızlı küçülmüyor. Bu da yonga sektöründeki krizin belirtisi. › 2306/2014
