İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Xiaomi Mix Flip inceleme
OPPO A3 inceleme
Nurus Me Too inceleme
Pusat Ghost Pro inceleme
nubia Z60 Ultra inceleme
Xiaomi Robot Vacuum S20 Plus inceleme
Shokz OpenRun Pro inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Suyun altında ateş yakmak mümkün mü?
Kuzey Koreli hacker'lar, nükleer santralleri hedef alıyor
Aradan geçen yıllara rağmen, neden ortada yeni bir James Bond filmi yok?
Az bir bütçeyle kocaman 6TB depolama! sunan disk WD My Passport 6 TB'ı inceledik!
Patates cipsi paketlerinin içinde neden bu kadar çok hava var?
WhatsApp, artık bu Android telefonlarda çalışmayacak
Apple'ın çerçevesiz iPhone planları yine başka bahara kaldı
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2013
Ekim
CHIP Dergisi Arşivi: Ekim 2013 - Sayfa 27
25
26
27
28
29
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
27 10/2013 WWW.CHIP.COM.TR ÜreTim:Ne kadar küçük o kadar iyi Transistorların giderek küçültülmesi bir zorunluluk, ama beraberinde bir sürü sorunu da getiriyor Üreticiler, işlemcilerini geliştirmek için transistor boyutunu sürekli küçültüyor. Zira yonga üstüne daha çok sayıda küçük transistor sığdırılabiliyor ve gereken voltaj azalıyor. Transistor küçüldükçe gereken voltaj doğrusal değil, üssel olarak azalıyor. Bu yüzden de transistorun küçültülmesi çok önemli ve etkili. Ne var ki yapı boyutunu 30 nanometreden 20'ye indirdiğiniz anda elektriksel sınırlara varıyorsunuz: kaçak akımlar. Bunlar, işlemcinin güç tüketiminin neredeyse yarısını oluşturuyor. Kaçak akım, akımın yalıtım katmanlarından kaçmasıyla gerçekleşiyor. Kuantum mekaniğinde bunun adı tünel etkisi. Engeller ne kadar küçülürse, tünel efekti oluşma riski ve akım kaçağı o kadar artıyor. Parçacık özellikle de silikon substratındaki (alt katmanındaki) yalıtım katmanından geçerek kapıya ulaşıyor. Bunu engellemek için, Intel ve Samsung artık kapı yalıtımında silikon dioksit kullanmayı bıraktı. Onun yerine, daha kalın olabilen ama anahtarlama hızını düşürmeyen, elektrik alanlarını daha çok geçiren (yüksek k) materyaller, örneğin hafniyum oksit kullanıyorlar. Bu yüksek k transistorlarını Qualcomm, Snapdragon 800 işlemcisinde, nVidia ise Tegra 4'te kullanıyor. Bu iki ürün de yakın tarihte piyasaya çıkıyor. Yeni teknoloji kaçak akımları azaltıyor Parçacıklar sadece kapı ile alt katman arasındaki yalıtımı değil, kaynak ile dren arasındaki alt katmanı da aşıyor. Genelde kapıdaki kaynak voltajı, kanaldaki tüm akımı kontrol eder. Ancak küçük transistorlarda elektrotlar arasındaki uzaklık o derece az ki, anahtarlama voltajı olmasa bile elektron akışı gerçekleşiyor. Bunun sebebi, elektrotlarla alt katman arasındaki elektriksel alanın direnci azaltması. Intel, üçüncü nesil Core i işlemcilerinden (Ivy Bridge) bu yana Silvermont FinFET'leri (Tri-Gate, yani üç kapılı transistor olarak da biliniyor) kullanıyor ve gelecekteki yongalarında da bunlardan faydalanacak. Bunlarda tek bir düz kanal değil, üç yanı kapıyla çevrili çıkıntı yapan bir kanal kullanılıyor ve akım buradan geçiyor. Böylece, sorun yaratan elektronlardan da kurtulmuş olunuyor. Teknik jargona başvurmak gerekirse, katman tümüyle tüketiliyor. Intel'e göre FinFET'ler ideal durumda gereken gücü %50 azaltabiliyor. FinFET'lere bir alternatif de ST microelectronics'in 2013 sonuna kadar mobil işlemcilerde kullanmaya başlamak istediği FD-SOI transistorları. FD-SOI transistorlarında kanal yine düz de olsa, kanal katmanı inceltilmiş ve silikon gövdeden yalıtılmış. Tıpkı FinFET'lerde olduğu gibi, FDSOI'de de kanal tümüyle tüketiliyor. FinFET'ler ve FD-SOI transistorlar benzer özellikler sergiliyor ve sıradan transistorlar karşısında bariz avantajları var. Böylece, önümüzdeki yıllarda da transistorların küçültülebilmesinin önü açılıyor. Bir transistorun üç elektrotu var: kapı, kaynak ve dren. Voltaj, anahtar ve kaynak anahtarları arasında saklanıyor ve böylece akım kanal içinde kaynaktan drene doğru akıyor. Küçük, düzlemsel transistorlarda akım kaçağı meydana geliyor ve elektronlar kapıyı 1 , kaynağı ve dreni 2 aşarak alt katmana geçiyor, böylece anahtarlama voltajı olmadan da kaynaktan drene 3 bir akış gerçekleşiyor. Transistorlar yonganın en küçük hesaplama birimi ve her transistor bir bit değeri tutuyor. Bu anahtarlama birimleri ufaldıkça, işlemci o kadar az enerji tüketiyor. aVaNTaJLarı: Daha hızlı, Daha TUTUmlU ıntel'e göre FinFET'ler geleneksel transistorlardan %37 daha hızlı açılıp kapanıyor ve aynı hızdaki transistorlardan %50 daha az güç tüketiyor. aynısı FD-SOı transistorlar için de geçerli. mOBil işlEmCilEr için yEni TEKnOlOji ıntel, FinFET'li ilk mobil işlemcisini 2013 sonunda piyasaya çıkaracak. Kimi arm üreticileri de düzlemsel transistorlarını küçültecek. ST microelectronic firması FD-SOı transistorları yılsonunda çıkarmak istiyor. 3?Hâlâ?üretici?tarafından?doğrulanmadı GörECEli anahTarlama GECiKmESi 2,0 1,8 1,6 1,2 0,8 1,4 1,0 0,60,60,70,80,91,01,10,5 22 Nm FiNFet %37 daha hızlı %50 daha ekonomik 32 Nm düzlemsel VOlTaj (VOlT) ÜrETİm TEKNOLOJİSİNDEKİ GELİşmELEr INTELQUALCOMMSAMSUNGNVIDIASTMICROELECT. 201232 nm, planar28 nm, planar32 nm, planar40 nm, planar45 nm, planar 201322 nm, FinFET28 nm, planar28 nm, planar28 nm, planar28 nm, FD-SOI 201414 nm, FinFET20 nm, planar320 nm, planar320 nm, planar320 nm, FD-SOI 201514 nm, FinFET16 nm, FinFET314 nm, FinFET316 nm, FinFET314 nm, FD-SOI SOrUN: TranSiSTOrDa KaçaK aKımlar Kapi yalitimiKaNal siliKa alt KatmaNi Kapi ?akım?kaçağı KayNaKdreN 22 1 3 1?tümüyle?dolu?etkili?transistor 2?tümüyle?tüketilmiş?silikon?yalıtımı ÇÖZÜm: yEni TranSiSTOr TEKnOlOjiSi FinFET1'lerde alt katman bir çıkıntı halinde yükseliyor, kanal yüzeyini büyütüyor ve kaçak akımı önlüyor. FD-SOı transistorlarda 2 ise kapıyla kanal arasında ince bir kapı yalıtımı yer alıyor ve kaçak akım önleniyor. Kapi izolasyoNu KayNaKdreN oKsit siliKa alt KatmaNi Kapi dreN oKsit KayNaKsiliKa alt KatmaNi oKsit Kapi TransisTor oPTimizasYonU
