İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Huawei FreeBuds Pro 4 inceleme
WD MyPassport 6TB inceleme
TP-Link Archer BE230 inceleme
Dreame L10 Prime inceleme
SteelSeries Arctis GameBuds inceleme
Xiaomi Mix Flip inceleme
OPPO A3 inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Antarktika'nın derinliklerinden, Dünya'nın en eski buz parçası çıkartıldı
Squid Game'in geçemediği tek Netflix dizisi: Kendisi!
Daha fazla ödeyeceksiniz: Galaxy S25 modellerinin fiyatları ortaya çıktı
Bilkom iletişim çalışmaları için UPDATE İletişim ile anlaştı
Çinli BYD yeni modelini tanıttı: ATTO 2
"Tek kartlık bilgisayar" Raspberry Pi 5, yeni sürümü ile artık daha güçlü
ABD'nin gizemli uzay uçağı, bir kilometre taşını daha geride bıraktı
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2012
Ocak
CHIP Dergisi Arşivi: Ocak 2012 - Sayfa 46
44
45
46
47
48
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2025 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
Disk devrimi 01/2012 WWW.CHIP.COM.TR 46 Faz Değişimli Bellek: CD-RW teknoloji-siyle en üst hız Faz Değişimli Bellek'in günümüz SSD'lerinden 100 kat hızlı ve çok daha verimli olduğu söyleniyor, tabii bunun için önce geliştirme sürecinin tamamlanması lazım. Çoğu depolama sistemi elektrik ve manyetik etkiden faydalanırken Faz Değişimli Bellek (PRAM) bir materyalin fiziksel değişimiyle çalışıyor. Tıpkı yeniden yazılabilir optik veri taşıyıcılarda olduğu gibi, fiziksel değişimde materyal iki halden birinde bulunabiliyor: Ya düşük elektrik direnci gösteren kristalsi bir yapıda ya da yüksek direnç sergileyen, kristalsi olmayan bir yapıda. Bir hücreye veri yazarken verilen akım bu farklı halleri oluşturuyor. Akım uzun süre verildiğinde hücreyi tümüyle eritiyor ve soğuma sırasında molekül yapısı düzenini yitiriyor. Kısa süreli akım ise daha az sıcaklığa yol açıyor ve o zaman da düzenli bir kristal yapısı oluşuyor. Tıpkı MRAM gibi, PRAM de elektriksel direnci ölçerek okunabiliyor. Faz durumu çok hızlı değiştirilebiliyor. IBM'deki araştırmacılar Flash'ın 100 katına varan hızlara erişebilmişler ve her hücre bir durumdan diğer duruma kolayca geçirilebiliyor. Oysa Flash hücrelerinin tekrar kullanılması için önce içeriğinin silinmesi şart. Samsung, Intel ve Hynix daha şimdiden cep telefonları için küçük boyutlu (64 MB'a kadar) Faz Değişimli Bellek üretiyorlar. ReRAM ve CB RAM: En büyük koz minyatürleştirme Flash gibi bellek teknolojilerinin bir kısmı minyatürleştirme sınırına dayanırken, Resistive RAM (Direnç Belleği, yani ReRAM) ve Conductive Bridging RAM (İletken Köprülü Bellek, yani CBRAM) gibi belleklerde çok daha küçük, hatta birkaç iyon büyüklüğünde yapılar oluşturmak mümkün. İki teknoloji de birbirine benzer şekilde çalışıyor. Bir yalıtım katmanında akım taşıyan köprüler (solda) oluşturuluyor ve tekrar koparılıyor. Aradaki fark, kullanılan materyalde. ReRAM'de yalıtım katmanı bir dielektrik, yani elektronları serbest hareket edemeyen bir materyal. Çıkış durumundayken dielektrik elektrotlar arasındaki okuma voltajını engelliyor ve böylece hücrenin değeri 0 kabul ediliyor. Bu değeri 1'e dönüştürmek için denetçi elektrotlara yüksek gerilim uyguluyor ve bu da dielektriği etkisiz hale getirerek voltajın geçebileceği, iletken bir kanal açıyor. Bu haldeyken okuma akımı dielektrikten geçebiliyor ve hücreye 1 değerini veriyor. Tekrar 0'a dönüştürmek için daha önce yaratılmış kanalları yok eden, tersine çevrilmiş bir voltaj uygulanıyor. CBRAM hücresi de benzer şekilde çalışıyor fakat elektrotlardan biri gümüş gibi elektro kimyasal bakımdan aktif bir malzemeden yapılırken, diğeri tungsten gibi inaktif bir malzemeden seçiliyor. Elektrotlar yalıtkan bir elektrolit katmanıyla birbirinden ayrılıyor. Böylece okuma akımı engellenirse hücre değeri 0 oluyor. 1 değerini yazmak için denetçi tungsten elektrota yüksek voltaj veriyor, bu da elektrotlar arasında bir nano kanal açıyor. Nano kanal hücrenin direncini azaltarak 1 değerini oluşturuyor. CBRAM hücresini tekrar 0 konumuna döndürmek için akım yönü tersine çevriliyor ve böylece nano kanal siliniyor. FAZ DEĞİŞİMLİ BELLEK Kaynak 1 ile çıkış 2arasındaki direnç, ısıtıcının 3faz değişimli materyali 4ne kadar ısıtacağını belirliyor. Kaynak 1 ile çıkış 2 arasında bir yalıtım materyali (dielektrik) bulunuyor 3. Güçlü bir voltaj uygulandığında iletken kanallar 4, meydana geliyor ve ölçüm akımı geçerek hücre değerini "1" yapıyor. İlk durumda ise elektron akışı olmadığından değer "0" oluyor. İLETKEN KÖPRÜLÜ RAM (CBRAM) CBRAM da ReRAM gibi çalışıyor. Birkaç kanal açmak yerine farklı materyaller sayesinde bir iletken nano tüp oluşturuyor. Bu da direnci düşürüyor ve 1'e karşılık geliyor. DİRENÇLİ RAM (RERAM) Güçlü bir voltaj, izolasyon materyalinde iletken kanallar oluşturuyor. Ters bir voltaj ise bu kanalları bozarak hücreyi ilk baştaki durumuna döndürüyor. Eğer kaynak 1 ile çıkış 2 arasına güçlü bir voltaj uygulanırsa iyonlar elektrolit 3 ile çıkış elektrotu 2 arasında bir nano kanal oluşturuyorlar. Bu kanal akımı taşıyor ve böylelikle hücrenin direnci düşüyor. Nano kanalı ortadan kaldırıp hücreyi "0" değerine döndürmek için kaynak1 ile çıkış 2 arasına ters voltaj uygulanıyor. Böylece iyonlar tekrar elektrolitten uzaklaşıp elektro kimyasal bakımdan aktif olan çıkış elektrotuna gidiyorlar. Kaynak1 Çıkış2 Az ısıtılmış: Materyal kristalleşiyor, direnç düşüyor ve hücre değeri "1" oluyor Çok ısıtılmış: Materyal sertleşerek amorf hale geçiyor, direnç yükseliyor ve hücre değeri "0" oluyor Isıtıcı 3 Phasenwechsel-Material3 Faz değişimli materyal 4 siy Faz De hızlı ve ç için önce g depolama sist Faz Değişimli Bel lışıyor. Tıpkı yeni bi, fiziksel değişim LEK enç, ısıtıcının ar ısıtacağını ReRAM üretimi ULVAC'ın bu makinesi RERAM modülleri üretiyor Kaynak1Çıkış2 Dielektrikum Kanallar 3 4 Akım Kaynak1Çıkış2 Elektrolit Nano tüpler 3 4 Akım Çıkış2 İyonlar 3 Akım Kaynak1 "0" Hali "1" Hali
