İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Huawei FreeBuds Pro 4 inceleme
WD MyPassport 6TB inceleme
TP-Link Archer BE230 inceleme
Dreame L10 Prime inceleme
SteelSeries Arctis GameBuds inceleme
Xiaomi Mix Flip inceleme
OPPO A3 inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Antarktika'nın derinliklerinden, Dünya'nın en eski buz parçası çıkartıldı
Squid Game'in geçemediği tek Netflix dizisi: Kendisi!
Daha fazla ödeyeceksiniz: Galaxy S25 modellerinin fiyatları ortaya çıktı
Bilkom iletişim çalışmaları için UPDATE İletişim ile anlaştı
Çinli BYD yeni modelini tanıttı: ATTO 2
"Tek kartlık bilgisayar" Raspberry Pi 5, yeni sürümü ile artık daha güçlü
ABD'nin gizemli uzay uçağı, bir kilometre taşını daha geride bıraktı
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2012
Ocak
CHIP Dergisi Arşivi: Ocak 2012 - Sayfa 44
42
43
44
45
46
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2025 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
Disk devrimi FERRO ELEKTRİK FERAM FeRAM, ferro elektrik materyallerdeki atomların organizasyonunun değiştirilebilmesi ilkesini kullanıyor. Kutuplamadaki değişim elementin iletkenlik niteliğini etkiliyor. MANYETİK DİRENÇLİ RAM MRAM'de ise iki mıknatısın aynı ya da zıt yönde manyetize edilmiş olmasının iletkenliği değiştirmesi ilkesinden faydalanılıyor. Hücreler kontrol akımıyla (A) yazılıyor ve bir ölçüm akımıyla okunuyor (B). loji üzerinde çalışıyor. Flash ve SONOS'tan farklı olan ferro elektrik RAM'ler, atomların teoride hiçbir sınır olmadan sonsuza dek yer değiştirmesi yöntemiyle bilgi depoluyor. 1980'lerde ve 1990'larda prototipleri üretilen FeRAM'de minyatürleştirme 130 nanometre (nm) üretim yapılmasını sağlıyor. Bu, günümüzün Flash hücrelerinin 20 nm'lik boyutuyla karşılaştırıldığında çok büyük olsa da, ilk ürünlerin BT piyasasına çıkması için yeterli. FeRAM'de ölçüm akımı bir ferroelektrik yapıdan geçiyor ve bu materyalin yapısında yazma akımı atomları yukarı ya da aşağı hareket ettirebiliyor. Bu da materyalin iletkenlik kapasitesini değiştiriyor ve hücrenin içeriği 1 ya da 0 oluyor. Bu sözde kutuplama elektrik kesildiğinde bile korunuyor. İçeriği okumak içinse ölçüm akımı uygulanırken hücreye 0 yazılıyor. Eğer hücrenin durumu aynıysa ölçüm akımı hiçbir engelle karşılaşmıyor ve denetçiye 0 bilgisi gönderiliyor. Eğer hücre diğer halde, yani 1 durumundaysa ölçüm akımında hatırı sayılır bir voltaj oynaması oluşuyor ve bu da sinyal güçlendiriciye 1 olarak gönderiliyor. Ardından kutuplama tersine çevriliyor ve asıl içerik olan 1 tekrar oluşturuluyor. FeRAM'in başta gelen avantajlarından biri, yazma için çok düşük voltaja ihtiyaç duyması. Bu da enerji tüketiminin Flash'tan %25 ila %50 daha düşük olmasına ve daha iyi yazma performansına olanak tanıyor. FeRAM'deki anahtarlama süreci akıl almayacak kadar hızlı. FeRAM bir biti 150 nanosaniyelik bir yazma döngüsüyle kaydedebiliyor ki, bu da 10 mikrosaniye hızında çalışan bir Flash bellekten 67 kat daha hızlı. FeRAM bellekli modülleri Fujitsu ve Texas Instruments şu an mikrodenetçiler için üretiyorlar. Ancak saklanan bit başına maliyet çok yüksek ve o yüzden sadece tıp teknolojisinde veya arabaların hava yastığı denetçilerinde kullanılıyorlar. MRAM: mıknatıslar bilgiyi sonsuza kadar saklıyor FeRAM'a benzer bir şekilde manyetik dirençli RAM'ler (MRAM) de çok hızlı ve çok uzun ömürlü. Fakat depolama ilkesi FeRAM'inkinden çok farklı. MRAM, 1950'li yılların manyetik cevher bellekleri üzerine kurulu, ancak bunu mikroskopik boyutta bir entegre yonga üstünde gerçekleştiriyor. Bilgi, çok çabuk değiştirilebilen manyetik kutuplar halinde saklanıyor, bit konumları çok uzun süre korunabiliyor ve Flash'ın aksine, istendiği kadar kullanılabiliyor. MRAM'in altında yatan fikir aslında basit. Birbirine yakın iki mıknatıs konuyor. Birisi sabit doğrultuda manyetize ediliyor, diğerinin yönü ise aynı ya da zıt doğrultuda bir akım geçirmek suretiyle değiştirilebiliyor. Eğer mıknatıslar aynı yöndeyse sistem, okuma amaçlı akıma düşük direnç gösteriyor ve hücrenin değeri 1 oluyor. Eğer mıknatısların kutupları farklıysa direnç yükseliyor ve değer 0 oluyor. MRAM kuramsal olarak bir nanosaniye içinde tepki verebiliyor. Yani Flash'tan tam 1000 kat hızlı. 8 GB'lık bir DVD kalıbını bir MRAM SSD'ye yazmak için 21 saniye değil, 0,02 saniye yeterli oluyor. Fakat şöyle bir sorun var: Döngü hızı 400 MHz'i aşınca mıknatıslar birbirini etkilemeye başlıyor. Braunschweig'deki Alman Federal Materyal Test Enstitüsü'nün bir araştırma projesi bir bellek bileşeninde birden çok MRAM hücresini bir arada anahtarlayarak bu limiti artırdı. Bu, MRAM'ın performansının da beş katına çıkması demek. Diğer Flash alternatifleri gibi MRAM yongaları da günümüzde üretiliyor. Fakat sadece uzay teknolojisi gibi özel alanlarda kullanılıyor. Fakat Toshiba, IBM ve NEC gibi BT dünyasının devlerinin bu konuya el atması, manyetik dirençli RAM'in geleceğinin parlak olduğunu ve önümüzdeki birkaç yıl içinde seri üretime geçebileceğini gösteriyor. Eğer üstteki mıknatısla alttakinin yönü aynıysa değer 1 Zıt mıknatıslar yüksek direnç, yani 0 demek Akım kaynak 1 ile çıkış 2 arasındaki ferro elektrik unsurdan 3 geçiyor. Kontrol anahtarıyla 4çıkış arasına uygulanan voltaj, kutbu değiştiriyor. Yonga yüzeyi Çıkış KaynakKontrol anahtarı 1 2 4Ferro elektrik 3 AkımAkım Kurşun atomlarıOksijen atomlarıZirkonyum / titanyum atomları Akım Ölçüm akımıÖlçüm akımı Düşük direnç =1Düşük direnç =0 AkımAkımAkım Değişken manyetik Sabit manyetik alan Değişken manyetik alan Sabit manyetik alan A B Sağlam RAM MRAM, radyasyondan etkilenmediği için Japonların Sprite adlı uzay sondasında kullanılıyor. k Akım Akım 01/2012 WWW.CHIP.COM.TR 44
