İnceleme
Kategoriler
Anakart
Cep Telefonu
Notebook
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
iPhone 16 Pro inceleme
Nillkin Desktop Stand, Nillkin MagRoad Lite, Nillkin Bolster Portable Stand inceleme
Mcdodo MC-1360 10.000 mAh LED Göstergeli Powerbank inceleme
Omix X6 inceleme
Anker Soundcore P40i inceleme
Razer Siren V3 Mini inceleme
Dyson OnTrac inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Dünya'nın en büyüğü keşfedildi: Gemi enkazı sandılar, gerçek çok farklı çıktı
Cadillac, yeni elektrikli SUV'u Vistiq'i resmi olarak tanıttı
Galaxy S25 ve S25+ için büyük bir RAM sürprizi gelebilir
Google'dan tek kullanımlık e-posta adresleri geliyor
Amazon, yeni Lara Croft'unu Game of Thrones'ta buldu
İkinci el elektrikli otomobilleri bekleyen karanlık tablo
YouTube'dan "TikToklaşma" yolunda yeni bir adım daha
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2011
Haziran
CHIP Dergisi Arşivi: Haziran 2011 - Sayfa 54
52
53
54
55
56
Kategoriler
İnceleme
Anakart
Cep Telefonu
Notebook
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2024 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
IT sınırları 06/2011 WWW.CHIP.COM.TR 54 Flash belleklere güven olmuyor SORUN Katı hal disklerinin (SSD'lerin) yani flash bellek hücrelerinden oluşan sabit disklerin geleceği parlak. Ancak SSD de bir duvara toslamak üzere. Şu anda 25 nm üretim sürecinden çıkan ürünler satılıyor ve 20 nm'likler planlanıyor. Ama üreticiler 20 nm'den sonra ne olacağını bilmiyorlar. Sorun, flash hücrelerinin yapısında gizli. Bu hücreler, elektronların içeri girdikleri kayan geçit transistörleri. O yüzden de elektronların dağılımı, hücrenin çalışmasını belirliyor. Normal SSD'lerde çok düzeyli hücreler (MLC) transistör başına dört yük, yani iki bit taşıyabiliyor. Elektron akışı kayan geçitteki geçit oksitten akıyor. Eğer yeni bir hücre kullanılacaksa o zaman önce elektronların gelmesi lazım. Bu da hücreye yüksek voltaj (25 volt) uygulanmasıyla gerçekleşiyor. Ancak bu işlem sırasında geçit oksidin bir kısmı kayboluyor ve hücre tıkanıp kalıyor. Bu da şu anlama geliyor: Hücre ne kadar küçükse, ömrü o kadar çabuk doluyor. O yüzden de mevut SSD'lerde yazma işlemlerini dağıtan özel denetçiler bulunuyor ve bunlar tüm bellek hücrelerinin eşit oranda yıpranmasını sağlıyor. Transistörler küçüldükçe sorun da büyüyor. ÇÖZÜM SSD'lerde veri yoğunluğunu artırmanın basit bir yolu, hücre başına üç bit depolamak ama bu da hata oranını yükseltiyor. Bellek üreticisi Micron, SSD denetçisini devre dışı bırakmak için karmaşık hata düzeltim sistemini flash belleklerin üzerine taşımayı düşünüyor. Gelecekte hücrelerin katmanlar halinde üst üste dizilmesi de düşünülüyor. Toshiba 2013'ten itibaren üç boyutlu hücreler üretmeyi planlıyor. Bunun Flash belleklerin durumunu düzeltip düzeltmeyeceği belli değil. Ancak işe yararsa, hataya daha az meyilli ve on kat hızlı bu belleklerin meraklısı çok. Memristörlerin yanı sıra faz değişimli bellekler (PCM) de iyi bir alternatif. PCM için kullanılan karışım –germanyum, antimoni ve telüryum (GeSbTe) – ısıtıldıkça anamorfik fazdan kristal fazına geçiş yapıyor. Kristal fazındayken direnci çok daha düşük, anamorfik fazda ise daha yüksek oluyor. Okuma içinse bir akım uygulanıyor. Voltajın geçip geçmemesine göre 1 ya da 0 değerleri elde ediliyor. Okuma hızı normal RAM'lerle aynı. Yazma daha uzun sürüyor çünkü öncelikle materyalin çok kısa bir sürede 600 derecenin üstüne ısıtılması gerekiyor. PCM'lerin Flash'lar gibi satılıp satılmayacağı belli değil. Şu an Samsung 65 nm temelli prototipler üretiyor (sağa bakınız). Küçültmekteki sorun, ısı. Çünkü manyetik statüyü korumak için hızlı bir soğutmaya ihtiyaç var. İkinci alternatif olan manyetik RAM ise, elektronların yüklerinin yanı sıra "aşağı" ya da yukarı" olarak nitelenen dönüşleriyle ilgili. Dönüş, manyetik alan uygulandığında tersine çevrilebiliyor. Bu etki veri depolama için ideal. Eğer iki yarıiletkenin elektronları aynı yönde dönüyorsa elektrik akımı geçebiliyor. Eğer dönüş yönleri farklıysa geçemiyor. Burada da şöyle bir sorun var: Dönüşü etkilemek için gereken manyetik alan şiddeti, hücre küçüldükçe artıyor. Bunun için de spin – tork aktarımı (STT) denilen bir yönteme başvuruluyor. Bir bellek hücresi zaten yukarı ya da aşağı değerine sahip elektronlarla doyuruluyor. Dönüş yönündeki akım bellek hücresini idare ediyor ve manyetik alan gerekmiyor. STT RAM'lerin geleceği parlağa benziyor ancak teknik hala o kadar yeni ki, ilk ticari ürünlerin piyasaya çıkmasının en erken üç ya da dört yıl sonra gerçekleşeceği söyleniyor. balkim@chip.com.tr Sorun Çözümler FLASH: NE KADAR KÜÇÜK O KADAR KÖTÜ SSD'lerde bellek hücrelerinin boyutları ömürlerini de belirliyor. Küçük hücreler çabuk yıpranıyor. 20 nm, üreticiler için oyunun sonu demek. Yıl 2005 2007 2009 2011 2013 100.000 10.000 5.000 3.000 1.000 Hücre 1 2 2 2 3 başına bit sayısı Boyut (nm) 65 50 34 25 20 HÜCRE BAŞINA YAZMA / SİLME DÖNGÜSÜ DeğişimOCZ'nin Vertex 2'si yeni 25 nm hücrelere sahip DÖNÜŞ TORK AKTARIMI Elektronların iki dönüş konumu var: yukarı ve aşağı. Eğer iki yarıiletkendeki elektronlar aynı dönüş yönüne sahipse aralarındaki engel aşılabiliyor. FAZ DEĞİŞİMLİ BELLEK Isıyla anamorfik iken polikristale dönüşen materyaller geleceğin veri depolama araçları. PRAM yongasıSamsung geçen yıldan beri cep telefonları için PCM bellekleri üretiyor AnamorfYüksek dirençBit değeri 1 KristalDüşük dirençBit değeri 0 Isıtıcı Üst elektrot Poliktristal malzeme (GeSbTe) Alt elektrot PROGRAMLANABİLİR ALAN 1. HAL2. HAL Manyetik tünel direnciUygulanan akımın yönü manyetik tünel direncini değiştiriyor. Bellek hücresi 1 ya da 0 değerini alıyor. Farklı dönüşYüksek direnç, akım geçmiyor Aynı dönüşDüşük direnç, akım engeli geçiyor Değiştirilebilir dönüş Sürekli dönüş Engel Dönüş yönünde akım Transistör Bit değeri = 0Bit değeri = 1
