İnceleme
Kategoriler
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Son İncelenenler
Huawei FreeBuds Pro 4 inceleme
WD MyPassport 6TB inceleme
TP-Link Archer BE230 inceleme
Dreame L10 Prime inceleme
SteelSeries Arctis GameBuds inceleme
Xiaomi Mix Flip inceleme
OPPO A3 inceleme
Haber
Kategoriler
Kripto Dünyası
Cep Telefonu
Windows
Sosyal Medya
Oyun ve Eğlence
Bilim
Dijital Fotoğraf
Notebook
Ekran Kartları
Güvenlik
Mobil Uygulamalar
Twitter
Instagram
Facebook
CES 2024
Scooter
Araçlar
Netflix
Gitex 2022
En Son Haberler
Çinli BYD yeni modelini tanıttı: ATTO 2
"Tek kartlık bilgisayar" Raspberry Pi 5, yeni sürümü ile artık daha güçlü
ABD'nin gizemli uzay uçağı, bir kilometre taşını daha geride bıraktı
Halkı uyardılar: Lütfen eski Noel ağacınızı yemeyin!
Microsoft'tan masaüstünüz için yepyeni duvar kağıtları
2025 Skoda Enyaq tanıtıldı: Özellikleri...
ASUS, yeni Zenbook A14'ü Türkiye’de ön siparişe açtı
Forum
CHIP Online
Chip Dergisi
PDF Arşivi
2011
Aralık
CHIP Dergisi Arşivi: Aralık 2011 - Sayfa 73
71
72
73
74
75
Kategoriler
İnceleme
Cep Telefonu
Notebook
Anakart
ADSL Modem
İşlemci
Tablet
Ekran Kartı
Televizyon
Fotoğraf Makinesi
Depolama
Klavye ve Mouse
Giyilebilir Teknoloji
Kulaklık
Ses Sistemi
Oyun İnceleme
Ev Elektroniği
Navigasyon
Haberler
Cep Telefonu
Oyun ve Eğlence
Bilim
Notebook
Ekran Kartları
Mobil Uygulamalar
Yapay zeka
Sony Xperia Z3
Xiaomi
Xbox One
Windows 11
Windows 10
TikTok
Sinema
Samsung Galaxy S8
Samsung Galaxy S6
Samsung Galaxy S5
Samsung
Playstation 5
Oyun konsolu
Otomobil
Ofis ve Finans
Note 4
MWC 2018
MWC 2017
MWC 2015
Microsoft
LG G6
LG G5
LG G4
LG G3
İşletim Sistemleri
İş dünyası
iPhone SE
iPhone 7
iPhone 6S
iPhone 6
iOS
Instagram
IFA 2017
HTC One M9
HTC 10
Google
Diziler
Discovery 2
CES 2018
CES 2017
CES 2015
Blockchain ve Bitcoin
Bilgisayarlar
Xbox Game Pass
Xbox Series S/X
Uzay
Android
Forum
© 2025 Doğan Burda Dergi Yayıncılık ve Pazarlama A.Ş.
73 WWW.CHIP.COM.TR 12/2011 2 012'de 10 ve 12 nanometre değerleri, bilgisayar dünyasını temelden sarsacak iki yeniliği işaret ediyor. Bir insan saçının telinden (100.000 nanometre) ya da hastalıklara yol açan EHEC'ten (6.000 nanometre) çok daha küçük olan bu değer, daha çok bir silikon atomunun çapına (0,3 nanometre) yakın. Sonuçlar ortada: Intel, 32 nm yerine 22 nm'lik transistörler üretecek. ARM lisanslı CPU'lar ise bundan böyle 40 değil 28 nm boyutlarında üretilecek. PC'lerin ve akıllı telefonların gücünü ikiye katlayan teknolojik yeniliğin arkasında işte bu 10 ve 12 nanometrelik küçülme yatıyor. Bundan en çok da taşınabilir aygıtlar faydalanacak. Pil ömrü o kadar uzayacak ki, 3B filmleri oynattıktan sonra bile yanınızda bir Xbox ya da Playstation 3 taşırmış gibi hissedeceksiniz. Bunun için, zaten minyatür olan bu yapılar üzerinde bir hayli değişiklik yapmak gerekiyor. Zira transistörler, bilgisayarların en küçük yapıtaşı. Küçük transistör daha hızlı çalışıyor Her yonga transistörlerden oluşur. En son çıkan Sandybridge CPU'larda bu küçücük bileşenlerden neredeyse bir milyar adet bulunuyor. Transistörlerde şu ana kadar geçerli olan kural, transistör ne kadar küçükse yonganın hesaplama gücünün o denli yüksek olduğuydu. Ancak üreticiler şu anda 32 nanometrelik transistör genişliğine ulaştılar. Bu değerin aşağısında, kuantum mekaniğinin etkisi transistörün çalışmasını engelliyor. Yapısal bir değişiklik gerçekleşmediği sürece 22 nm'lik transistörleri çalıştırmak mümkün değil. Şu ana kadar işler kolaydı. Bir transistör iki elektrottan (kaynak ve drenaj), bir kontrol elektrotundan ve bir de geçitten oluşur. Kaynak ve drenaj, onları yalıtan bir substrat ile ayrılmıştır. Bu üç bileşen (kaynak, drenaj ve substrat) az miktarda yabancı atom da içeren silikondan oluşur. Kaynak ve drenajda bu yabancı atomlar fosfor ya da arseniktir ve silikondan farklı olarak serbestçe dolaşabilen ve akımı ileten bir ekstra elektrona sahiptirler (N katkısı). Bunun karşılığında substrat ise elektronu bulunmayan bor ya da alüminyum ile yüklenir (P katkısı). P ve N katkılı silika arasında elektron akışını önleyen bir tükenim bölgesi (depletion zone) bulunur. Geçide voltaj uygulandığında tükenim bölgesinde elektronların kaynaktan drenaja akmasına ve transistörün çalışmasına izin veren kanal açılır. Eğer geçide uygulanan voltajı keserseniz transistör açık kalmayı sürdürür ama bunun için güç uygulanmasına ihtiyaç duymaz. Yapılar küçüldükçe durumun daha da kötüye gittiğini söyleyebiliriz: En son transistörler kapalıyken bile akım geçirebiliyorlar ve bu da olması gerektiği gibi çalışmadıkları anlamına geliyor. Akım kaybı yongayı yavaşlatıyor Kaçak akımlar tüketilen gücün yarısını oluşturabiliyor. Transistör ne kadar küçülürse kaçak akım da o denli artıyor. Bununla başa 2011 Transistör Klasik transistörlerin metal geçitleri elektron mikroskobunda görülebiliyor 2012 Trigate Intel'in trigate transistörlerinde kanal silikon yüzeyden çıkıyor ve böylece geçit kontak alanı büyüyor. Verimlilik sorunu: Küçük transistörler güç kaybına ve yavaşlamaya yol açıyor Bir transistör açıldığında akımın kanaldan geçmesine izin verir ve belli bir bit değerine karşılık düşer. Transistör kapandığında akım durur. Küçük transistörlerde ise akım kesilmiyor ve transistör küçüldükçe elektrik kaybı da artıyor. k SORUN: Kaçak akım Elektronların kanaldan drenaja giden kanaldan sadece geçide voltaj uygulandığında akması gerekiyor. Ama elek-tronlar kapalı transistörlerden de geçebiliyor. Bunun başlıca dört nedeni var. INTEL'IN ÇÖZÜMÜ: Trigate Kanal geçide daha büyük bir etki alanı sağlıyor 1. DIBL* Kaynak ve drenaj alanları substratı etkiliyor ve geçidin etkisini azaltıyor. Bu da akımın kaçmasına neden oluyor. 2. Substrat eşik sızıntısı Elektronlar kaynaktan drenaja geçiyor 3. Geçit sızıntısı Geçit elektronları koruma katmanının (geçit oksitin) içinde tünel açıp substrata geçiyor 4. Kavşak sızıntısı Tünel etkisiyle elektronlar drenajdan ve kaynaktan substrata geçiyor Geçit DrenajGeçit Substrat DrenajKaynak Gömülü oksit (BOx) 3B etkisi Geçit kanalı üç yanından sararak akım sızıntısını önlüyor İzole kanal Geçidin etkisi elektron akışını hızlandırıyor Koruyucu katman Kaynak, dren ve substrattaki kaçak akımları önlüyor AMD'NIN ÇÖZÜMÜ: İzolasyon FDSOI'de kanal izole edilmiş Geçit Geçit oksit * Drenaj kaynaklı bariyer azalması Kanal Geçit oksit Kanal Substrat DrenajKaynakKanal 3. 4.4. 1.1. 2. Kaynak Substrat
