Samsung'dan İlk 3. Nesil 10nm DDR4 DRAM Geldi!

Samsung, bellek yongası üretiminde dur durak bilmiyor. Güney Koreli şirket kısa bir süre önce bellek konusunda önemli bir duyuru gerçekleştirmiş ve eMRAM üretimini seri şekilde başlattığını duyurmuştu. Şimdi ise endüstride yeni bir ilke daha imza atan Samsung, bu kez 3. Nesil 10nm DDR4 DRAM'i geliştirdiğini açıkladı.

Bu yılın ilinci yarısından itibaren 8 GB DDR4 üretimine başlamayı planlayan Samsung, gelecek yıl yeni nesil kurumsal sunucuarı ve ileri teknoloji bilgisayarını hedefine alıyor. Peki, 10 nm DDR4 ne tür özellikler barındırıyor?

Samsung DRAM'in sınırlarını zorluyor

Yeni 10 nm DDR4, şu an endüstrinin en küçük bellek işlem çözümü. 1z-nm DDR4 olarak adlandırılan yeni teknoloji, önceki versiyon olan 1y-nm'ye kıyasla yüzde 20'den daha fazla üretim verimliliği sağlıyor. Ayrıca 10 nm DDR4, yüksek performans ve güç verimliliği ile DRAM çözünümün sınırlarını zorlayacak.

Samsung, yeni 1z-nm DDR4'ün, DDR5, LPDDR5 ve GDDR6 gibi yeni nesil  DRAM arayüzlerine hızlı bir şekilde giriş yapmasını bekliyor. Bu arada Samsung'un 1z-nm DDR4'ü, 2'inci nesil 10 nm sınıfı (1y-nm) 8 GB DDR4'ü üretmeye başladıktan yalnızca 16 ay sonra geliştirmesi de önemli bir detay.

Samsung DRAM Ürün ve Teknolojisi Başkan Yardımcısı Jung-bae Lee, "Teknolojideki en büyük zorlukları aşma taahhüdümüz, bizi her zaman daha büyük yeniliklere yöneltti. En yüksek performansı ve enerji verimliliğini sağlayan yeni nesil DRAM'in istikrarlı üretimi için temel attığımız için memnunuz," diyerek konuya ilişkin düşüncelerini aktarıyor.

Samsung, böylece DDR4 DRAM için artan pazar taleplerine hazır durumda görünüyor. Bu arada Samsung'un çok kısa bir süre önce yine akıllı telefonlar için de 12 GB LPDDR4X RAM'lerin seri üretimine başladığını da belirtelim. Böylece akıllı telefonlrda daha yüksek RAM kapasitelerini görebileceğiz. Bu modüllerde de Samsung, az önce bahsettiğimiz 1y-nm üretim sürecini temel alıyor.