Samsung, Dünya'nın ilk 12nm DDR5 belleğini resmi olarak duyurdu
Samsung, sektörün 12nm üretim süreci üzerine inşa edilen ilk DDDR5 DRAM yongalarını resmi olarak duyurdu.
Samsung, DDR5 DRAM alanında sektörün ilk 12nm süreci üzerine inşa edilen yeni bellek yongalarının seri üretimine başlama yolunda ilerliyor. Şirket, gelişmiş performans ve daha fazla güç verimliliği ile "yeni nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve yapay zeka uygulamalarını geliştirmek" için 2023 yılında yeni çiplerin üretimine başlamayı hedefliyor.
Samsung'un yeni 16-gigabit (Gb) DRAM çipleri, DDR5 standardını kullanan tüm platformlara fayda sağlayacak. Ancak şirket özellikle AMD'ye yönelik iyileştirmelerin altını çiziyor. Resmi basın bülteninde bu yongaların DDR5 destekli en yeni AMD Zen platformları (Zen4 ve AM5 soketi) için "optimize edildiği ve onaylandığı" belirtiliyor.
12nm teknolojik sürece geçiş, Samsung'un hızları 7.2Gbps'ye (kabaca iki 32GB UHD filmi sadece bir saniyede işleme anlamına geliyor) kadar çıkarmasına ve "önceki DRAM'den" yüzde 23'e kadar daha az güç tüketmesine olanak tanıyor. Samsung ayrıca yonga plakası verimliliğini yüzde 20 oranında artıran sektörün en yüksek kalıp yoğunluğuyla da övünüyor.
Samsung, yeni 12nm DDR5 DRAM yongalarını çeşitli pazar segmentlerinde kullanmayı vadediyor. Bu nedenle her türlü bilgisayar ve sunucuda daha hızlı ve daha verimli RAM’leri önümüzdeki aylarda görebileceğiz. Ancak bunun için biraz daha beklememiz gerekecek.