Samsung, 8’inci nesil V-NAND belleklerinin seri üretimine başladı

Samsung, en yeni 1 TB 8’inci nesil V-NAND belleğinin seri üretimine başladı. Koreli şirkete göre bu teknoloji, sektörün en yüksek bit yoğunluğunu ve 1 TB ile bugüne kadarki en yüksek depolama kapasitesini sunuyor. Bunun dünya çapında yeni nesil kurumsal sunucularda daha geniş depolama alanı sağlayacağı belirtiliyor.

Şirket adına açıklama yapan Samsung Electronics Flash Ürün ve Teknoloji Başkan Yardımcısı SungHoi Hur şunları söyledi: "Pazarın daha yoğun ve daha yüksek kapasiteli depolamaya olan talebi daha yüksek V-NAND katman sayılarını gerektirdiğinden, Samsung yüzey alanını ve yüksekliği azaltmak için gelişmiş 3D ölçeklendirme teknolojisini benimserken, normalde ölçeklendirmede ortaya çıkan hücreden hücreye paraziti de önledi. 8’inci nesil V-NAND'ımız hızla büyüyen pazar talebini karşılamaya yardımcı olacak ve gelecekteki depolama inovasyonlarının temelinde yer alacak daha farklılaştırılmış ürünler ve çözümler sunmak için bizi daha iyi konumlandıracaktır."

Samsung'un en yeni nesil V-NAND belleği ile müşteriler, 7’inci nesilde 2 Gbps olan giriş ve çıkış hızının saniyede 2,4 gigabite (Gbps) kadar çıkmasını bekleyebilirler. Samsung, bu hız artışının PCIe 4.0 ve PCIe 5.0'ın performans gereksinimlerini karşılamaya yardımcı olacağını söylüyor.

Samsung ayrıca, kurumsal sunucularda mevcut depolama alanını genişletmek için kullanılmasının yanı sıra, 8’inci nesil V-NAND'ın otomotiv pazarında da kullanılacağını ve gerekli güvenilirliği sağlayacağını söylüyor.